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RFMD® 扩展其晶圆代工服务,在欧洲推出砷化镓(GaAs)技术相关工艺

2010-10-08 20:01:22 来源:与非网

北卡罗来纳州、GREENSBORO2010 9 29 —— 日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代号: RFMD)宣布,其已将达到国际水平的砷化镓 (GaAs) 技术添加到 RFMD 代工服务系列,并开始为代工服务业务部门的客户提供全套砷化镓准晶态高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 技术。
 
特别值得一提的是,RFMD 将提供三种不同的砷化镓 pHEMT 技术以优化高功率、低噪音和 RF 切换产品。RFMD 0.3-微米 pHEMT 技术可实现高功率,优化用于 X 频段相位阵列功率放大器 (PA) 及 8-16 千兆赫宽带军事战争电子干扰发射机。RFMD 0.25-微米 pHEMT 技术的噪音小、功率一般、线性高,主要用于降低噪音前端和 MMIC 发射器方面的应用。 RFMD 0.6-微米 pHEMT 技术的噪音小、RF 信号切换线性高,专为包括无线前端和发射/接收模块等应用而设计。
 
RFMD 位于英国、Newton Aycliffe 的工厂提供以上所有工艺技术,可为 RFMD 的晶圆代工服务客户提供不受欧洲进口/出口控制的欧洲技术。
 
RFMD 位于北卡罗来纳州、Greensboro 的晶圆厂目前可为代工服务客户提供两项 RFMD 氮化镓 (GaN) 工艺技术。 氮化镓-1 主要针对高功率应用,而氮化镓-2 主要针对高线性应用。 RFMD 还为高功率应用补充了优化的集成无源组件 (IPC) 技术。 RFMD 先进的砷化镓 pHEMT 技术为公司的多芯片模块 (MCMs) 设计进一步补充了公司已有的氮化镓技术和其它功率半导体技术。
 
RFMD 多市场产品组 (MPG) 总裁 Bob Van Buskirk 指出:“RFMD 是世界上 III-V 族半导体电子电路方面的最大制造商,这些电路包括砷化镓和氮化镓。15 年以来,RFMD 一直为客户提供由我们的晶圆厂制造的具备国际水平的产品。 现在我们也为其它客户提供同等机会。 凭借我们具备国际水平的砷化镓技术、技术专长、大批量制造能力、业界领先的周期及前所未有的支持水平,我们的代工服务能够使许多代工客户以有效节约的商业模式使用先进的复合半导体技术。”
 
RFMD 代工服务业务部门的成立,旨在为外部代工客户即时提供 RFMD 基于合格加工和生产发布的高可靠性、高性能且有竞争力价格的工艺技术。
 
在 2010 年 9 月 28 日至 30 日于法国、巴黎召开的欧洲微波会议 (European Microwave) 期间,或在 2010 年 10 月 4 日一周于加州、Monterey召开的化合物半导体集成电路会议 (Compound Semiconductor Integrated Circuits Symposium) 期间,如需与 RFMD 代工服务的工作人员开会面谈,请联系 RFMDFoundryServices@rfmd.com。 更多其它信息,请登录 RFMD 网站 http://www.rfmd.com,点击“Foundry”
 
关于 RFMD
 
RF Micro Devices(NASDAQ GS 代码:RFMD)堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性,提供更高的连接能力,以及支持蜂窝手机、无线基础设备、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可,并且是受全球领先移动终端及通讯设备制造商所青睐的供应商。
 
RFMD 总部位于北卡罗来纳、格林斯博罗,是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易,交易代码为 RFMD。有关更多信息,请访问 RFMD 网站:www.rfmd.com

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