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富士通半导体MB86L13A获2012年度创新奖之最佳产品奖

2012-11-16 23:46:34 来源:与非网

 

上海,2012年11月16日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,其面向LTE专向应用而开发的LTE(FDD和TDD)优化收发器---MB86L13A荣获EDN China 2012年度创新奖“通信与网络类手机组”之最佳产品奖。 此芯片在延续富士通半导体第一代多模多频LTE射频收发器的特性之外,可帮助现有的手机客户在其2G/3G产品基础上快速增加4G LTE功能,实现最快速的4G手机产品(同时支持2G/3G)研发。
 
EDN创新奖源自美国硅谷,自2005年引入中国之后,已成为在中国微电子领域最具影响力的奖项之一。 在2012年,共有71家公司的130款产品报名EDN China创新奖。富士通半导体的4G LTE 射频收发芯片MB86L13A芯片从众多产品中脱颖而出,折桂于通信与网络类的手机组,彰显这款产品的创新性及先进性。
 
MB86L13A支持FDD-LTE和TDD-LTE两种4G制式,可以帮助无线终端公司开发功能强大的LTE终端(手机,数据卡,平板电脑等)。该芯片采用富士通开拓的RFIC设计架构,无需外部的低噪声放大器(LNAs)和级间声表面波(SAW)滤波器,可覆盖700 MHz~2700 MHz的频谱。其多个发送、接收和分级端口,可为漫游所需的映射端口和基带提供极大的灵活性。该收发器使用公开标准MIPI DigRF D4G V1.0基带接口,支持全球的FDD频段1-21, 23-25和TDD频段33-41。此外,MB86L13A还能支持高达20MHz的全部LTE带宽。
 
“非常高兴能够获得2012年的EDN创新奖之最佳产品奖,也非常感谢EDN China对我们的认可”富士通半导体亚太区市场副总裁郑国威先生表示:“目前,受业界普遍看好的LTE将成为4G技术的主流。许多基带供应商都在为既有的2G/3G解决方案追加强有力的LTE能力,而MB86L13A可加快这些产品的上市时间,快速地在既有2G/3G方案上增补多频的LTE功能。”
 
关于富士通半导体(上海)有限公司
富士通半导体(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连、厦门、西安、青岛和武汉等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售、市场及现场技术支持服务。

富士通半导体(上海)有限公司的产品包括专用集成电路(ASIC)、单片机(MCU)、专用标准产品(ASSP)/片上系统(SoC)和系统存储芯片,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并应用于广泛领域。在技术支持方面,分布于上海、香港及成都的IC设计中心和解决方案设计中心,通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调,共同开发完整的解决方案,从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络。

 

 

 

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富士通半导体推出收发器家族全新LTE优化多频单芯片MB86L13A


 

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